PRODUCTEN Fabriek, leveranciers - China PRODUCTEN Fabrikanten

InGaAs APD-modules

Het is een indium gallium arsenide lawine fotodiode module met voorversterkingscircuit waarmee een zwak stroomsignaal kan worden versterkt en omgezet in een spanningssignaal om het conversieproces van foton-foto-elektrische signaalversterking te bereiken.

ONDERZOEK detail-
APD met vier kwadranten

Het bestaat uit vier dezelfde eenheden Si lawine fotodiode die een hoge gevoeligheid biedt, variërend van UV tot NIR.De piekresponsgolflengte is 980 nm.Reactievermogen: 40 A/W bij 1064 nm.

ONDERZOEK detail-
APD-modules met vier kwadranten

Het bestaat uit vier dezelfde eenheden Si lawinefotodiode met voorversterkingscircuit waarmee een zwak stroomsignaal kan worden versterkt en omgezet in een spanningssignaal om het conversieproces van foton-foto-elektrische signaalversterking te bereiken.

ONDERZOEK detail-
850nm Si PIN-modules

Het is een 850nm Si PIN-fotodiodemodule met voorversterkingscircuit waarmee een zwak stroomsignaal kan worden versterkt en omgezet in een spanningssignaal om het conversieproces van foton-foto-elektrische signaalversterking te bereiken.

ONDERZOEK detail-
900nm Si PIN-fotodiode

Het is een Si PIN-fotodiode die onder omgekeerde voorspanning werkt en een hoge gevoeligheid biedt, variërend van UV tot NIR.De piekresponsgolflengte is 930 nm.

ONDERZOEK detail-
1064nm Si PIN-fotodiode

Het is een Si PIN-fotodiode die onder omgekeerde voorspanning werkt en een hoge gevoeligheid biedt, variërend van UV tot NIR.De piekresponsgolflengte is 980 nm.Responsiviteit: 0,3 A/W bij 1064 nm.

ONDERZOEK detail-
Fiber Si PIN-modules

Optisch signaal wordt omgezet in stroomsignaal door optische vezel in te voeren.De Si PIN-module heeft een voorversterkingscircuit waarmee een zwak stroomsignaal kan worden versterkt en omgezet in een spanningssignaal om het conversieproces van foton-foto-elektrische signaalversterking te bereiken.

ONDERZOEK detail-
Si-pincode met vier kwadranten

Het bestaat uit vier dezelfde Si PIN-fotodiode-eenheden die omgekeerd werken en een hoge gevoeligheid bieden, variërend van UV tot NIR.De piekresponsgolflengte is 980 nm.Responsiviteit: 0,5 A/W bij 1064 nm.

ONDERZOEK detail-
Vierkwadrant Si PIN-modules

Het bestaat uit enkele of dubbele Si PIN-fotodiode-eenheden met een voorversterkingscircuit waarmee een zwak stroomsignaal kan worden versterkt en omgezet in een spanningssignaal om het conversieproces van foton-foto-elektrische signaalversterking te bereiken.

ONDERZOEK detail-
UV-verbeterde Si PIN

Het is Si PIN-fotodiode met verbeterde UV, die werkt in omgekeerde richting en een hoge gevoeligheid biedt, variërend van UV tot NIR.De piekresponsgolflengte is 800 nm.Reactievermogen: 0,15 A/W bij 340 nm.

ONDERZOEK detail-
1064nm YAG-laser -15mJ-5

Het is een passief Q-switched Nd:YAG-laser met een golflengte van 1064 nm, ≥15mJ piekvermogen, 1~5hz (instelbare) pulsherhalingsfrequentie en ≤8mrad divergentiehoek.Bovendien is het een kleine en lichte laser die een hoge energie-output kan bereiken, wat een ideale lichtbron kan zijn voor afstandsmetingen voor sommige scenario's met strikte vereisten voor volume en gewicht, zoals individuele gevechten en UAV's die in sommige scenario's van toepassing zijn.

ONDERZOEK detail-
1064nm YAG-laser-15mJ-20

Het is een passief Q-switched Nd：YAG-laser met een golflengte van 1064 nm, een piekvermogen van ≥15 mJ en een divergentiehoek van ≤8 mrad.Bovendien is het een kleine en lichte laser die een ideale lichtbron kan zijn voor lange afstanden, variërend in hoge frequentie (20 Hz).

ONDERZOEK detail-