850nm Si PIN-modules

Model: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Korte beschrijving:

Het is een 850nm Si PIN-fotodiodemodule met voorversterkingscircuit waarmee een zwak stroomsignaal kan worden versterkt en omgezet in een spanningssignaal om het conversieproces van foton-foto-elektrische signaalversterking te bereiken.

offerte krijgen Downloaden

Technische parameter

Productlabels

Functies

Respons op hoge snelheid
Hoge gevoeligheid

toepassingen

Laser zekering

Foto-elektrische parameter (@Ta=22±3℃)

Artikelnummer	Pakket categorie	Diameter van lichtgevoelig oppervlak (mm)	Responsiviteit	Stijgende tijd (NS)	Dynamisch bereik (dB)	Werkspanning (V)	Ruis spanning (mV)	Notities
Artikelnummer	Pakket categorie	Diameter van lichtgevoelig oppervlak (mm)	λ=850nm, φ_e=1μW		λ=850nm	Werkspanning (V)	Ruis spanning (mV)	Notities
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Invalshoek: 0°, doorlaatbaarheid van 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10 × 1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Opmerkingen: De testbelasting van GD4213Y is 50Ω, de rest is 1MΩ